首先要明确一点，对于本征半导体而言，电子和空穴是成对产生的，所以电子浓度和空穴浓度是相等的。
载流子的浓度是和Nc、Nv成正比，尤其是指数项exp（-Eg/2kT)
所以对于一定的半导体材料，其本征载流子浓度是随温度的升高而迅速增加。
温度升高时，电子共有化运动加剧，能级分裂加剧，因些允带变宽，禁带变窄。电子更容易从价带跃到导带，所以温度升高，电子空穴对增多，即电子空穴浓度增加，即本征载流子浓度增加。
