二次电子信号来自于样品表面层5～l0nm,电子与知样品原子的核外电子作用，一部分能量转移到原子，导致原子中的一个电子被逐出而产生二次电子。二次电子信号强弱与样品表面粗糙度道有关，可利用二次电子成像的模式-SEI模式观察样品表面形貌。
电子与样品原子的原子核发生弹性碰撞，电子方向发生改变，但无能内量损失，这样的电子叫背散容射电子。背散射电子信号强弱与样品原子的原子量有关，可利用背散射电子成像的模式-BSE模式观察样品表面元素分布情况。
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