固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别

2025-03-27 09:00:31

推荐回答（5个）

回答1：

固态硬盘（Solid State Drives），用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。

构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，SLC、MLC和TLC三者都是闪存的类型。

1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。

3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。

回答2：

构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，SLC、MLC和TLC三者都是闪存的类型。

1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。

3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。

构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，有不少人认为单纯看主控就可以知道SSD的性能，其实这是错误的，就像某些厂商的产品线那样，用的都是SandForce SF-2281主控，但是通过不同的闪存与固件搭配划分出很多不同层次的产品，相互之间性能差异比较大，可见SSD所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。

TLC是闪存一种类型，全称为Triple-Level Cell TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸。

最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。

回答3：

具体的技术原理就不多说了，简单说说吧。
SLC的特点是寿命长，但是芯片体积大，读写速度一般，多用于企业级储存设备，不追求极速读写能力，但必须保证长寿耐用，持久稳定不出错，例如50纳米工艺的SLC，可以达到十万次写入（具体参数为网络查询的数据，如有错漏请指正），如果是128G的SLC固态硬盘，则理论上写入总量应该是128X100000=1280万GB，理论上你要往硬盘里塞这么多的数据，它才会到寿命。这个数据量大约是多少呢，你装一次WINDOWS7系统，加上驱动、常用软件之类，大约要写入50GB的数据，意味着你要装25.6万次系统，才能装坏它。如果你用它来下载蓝光，一部蓝光按30GB计算，你要下载42.6万部蓝光电影，它才会坏。

同样规格的MLC寿命比SLC要低（写入次数大约为SLC的十分之一），但体积可以做的更小，速度比CLS更快，关键是制造成本比SLC便宜，所以有一段时间是主流，寿命你按上面的评估计算，取1/10就是MLC的寿命了，虽然MLC寿命短了，但读写速度提升了。

同样规格的TLC的寿命更低，写入次数大约为MLC的1/3左右，是SLC的1/30左右，如果上面50纳米SLC是十万次写入，那么这个规格的TLC大约为3000次写入，128G的总写入量在38万GB左右，约等于你装7568次WIN7，约等于连续下载12800部蓝光。这个是按照50纳米工艺来计算的，如果按照现在主流的20纳米级别的工艺，大约只有1000次写入，基本上TLC厂家的质保是75TB数据，在写入75TB数据之前损坏厂家负责，超过这个数据量就过保了，当然啰超过这个数字只是没有售后而已，并不代表它会坏，因为有寿命冗余，至少还能再使用多一倍的时间是没有问题的。按照主流SSD厂家75TB保修数据来换算，大约相当于你每天工作8小时，每天写入20GB的数据，那么需要3750天才会让写入容量超出厂家的保修范围，差不多十年，所以虽然TLC寿命看起来不高，但实际上作为个人使用，完全没有任何问题。

以上，基本是基于20纳米以上规格的闪存而言，然而现在闪存越做越小，普遍的MLC都做到了15纳米，制程越小寿命越低，25纳米的MLC基本可以有5000PE写入，15纳米的MLC也就1000出头，跟TLC差不多了。所以纳米值越小的闪存，相互之间的差异越小。

回答4：

你好！
固态硬盘使用不同的原件，效果差距很大。
slc贵，快，闪存容量小，寿命长，
mlc中等，无论是容量还是性能都是。
tlc便宜，慢，闪存容量大，寿命短。
现在部分厂家已经革新新技术，利用闪存堆叠技术提高tlc的速度，寿命和稳定性，冲击入门市场，不过目前才刚上市，具体能不能经受住时间考验还不可知。

回答5：

固态硬盘的SLC MLC TLC QLC有啥区别？3D NAND又是啥？

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