硅基氮化镓的应用特性有哪些？

在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化为提高射频性能敞开了大门，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及缩小器件尺寸并最终节省系统空间。 此外，与传统技术相比，硅基氮化镓可以提供的效率不同。在硅片生产平台上实现氮化镓可以在批量生产水平上达到与LDMOS相当的经济实惠的成本结构，并且在某些射频市场上低于碳化硅基氮化镓的成本结构。 与此同时，氮化镓的用例已经扩展到面向宏基站等大功率射频应用的分立式晶体管。硅基氮化镓作为独立MMIC器件时发挥着关键作用，同时也是5G和M-MIMO系统模块的关键元件。

这是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景希望对你有帮助！