1、UVLED光固化原理是指在紫外光的照射下，光引发剂吸收特定波长的光子，激发到激发状态，形成自由基或阳离子，然后通过分子间能量的传递，使聚合性预聚物和感光性单体等变成激发态，产生电荷转移络合体，这些结合体不断交联聚合，在极短的时间里产生固化成三维网状结构的高分子聚合物。其中，吸收辐射能，引发单体、低聚物的不饱和双键交联固化，是UV固化体系的关键部分。
2、UVLED发光机理：PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放出去。这就是PN结发光的原理。
3、UVLED发光效率：一般称为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率，其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性（如组件材料的能带、缺陷、杂质）、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后，实际在组件外部可测量到的光子数目。因此，关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率，主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构，使电能不易转换成热能，进而间接提高UVLED的发光效率，从而可获得70%左右的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。在这样的状况下，光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的，因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。现在的方法主要是：晶粒外型的改变——TIP结构，表面粗化技术。
4、UVLED热学特性：小电流下，LED温升不明显。若环境温度较高，UVLED的主波长就会红移，亮度会下降，发光均匀性、一致性变差。尤其点阵、大显示屏的温升对LED的可靠性、稳定性影响更为显著。所以散热设计很关键。
5、UVLED寿命：UVLED的长时间工作会光衰引起老化，尤其对大功率UVLED来说，光衰问题更加严重。在衡量UVLED的寿命时，仅仅以灯的损坏来作为UVLED寿命的终点是远远不够的，应该以UVLED的光衰减百分比来规定LED的寿命，比如35%，这样更有意义。
6、大功率UVLED封装：主要考虑散热和出光。散热方面，用铜基热衬，再连接到铝基散热器上，晶粒与热衬之间以锡片焊作为连接，这种散热方式效果较好，性价比较高。出光方面，采用芯片倒装技术，并在底面和侧面增加反射面反射出浪费的光能，这样可以获得更多的有消出光。
在小电流下，LED温升不明显。若环境温度较高，UVLED的主波长就会红移，亮度会下降，发光均匀性、一致性变差。尤其点阵、大显示屏的温升对LED的可靠性、稳定性影响更为显著。所以散热设计很关键。
说到热处理肯定是需要热导率超高的硬件作为支撑，那么首当其冲的就是电路板了，电路板材料热导率的高低，会直接影响LED的使用寿命。目前很多生产厂家使用的是铝基板，因为铝基板的热导率高。但是随着大功率的研发，铝基板已经渐渐不能满足需求，那么就需要用到陶瓷电路板了，陶瓷电路板的热导率可以达到铝基板的100倍，而且比铝基板更稳定，热膨胀匹配系数更优良。当然，陶瓷电路板的工艺也会对其有影响，陶瓷电路板中斯利通品牌很不错，有LAM技术 是用激光进行操作的工艺，陶瓷电路板电学性能及热学性能非常不错！结合力也非常强！
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