MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里？谢谢了

　　MOSFET-P和MOSFET-N的区别：

　　1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；

　　2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

　　而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。

　　N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。

　　如图为增强型N沟道、P沟道MOSFET。

　　P MOSFET除了代表衬底的B的箭头方向外，其他部分均与NMOS相同。

　　N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT

　　可变电阻区与饱和区的界线为  VDS= VGS-VT。

　　在可变电阻区内：VGS >=VT， VDS  <= VGS-VT。

　　在饱和区内：       VGS>=VT，   VDS  >= VGS-VT。

　　P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT

　　可变电阻区与饱和区的界线为  VDS= VGS-VT。

　　在可变电阻区内：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。

　　在饱和区内：       VGS<=VT， VDS  <= VGS-VT。

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：

1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；

2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。

N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。

如图为增强型N沟道、P沟道MOSFET。

P MOSFET除了代表衬底的B的箭头方向外，其他部分均与NMOS相同。

N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT

可变电阻区与饱和区的界线为  VDS= VGS-VT。

在可变电阻区内：VGS >=VT， VDS  <= VGS-VT。

在饱和区内：VGS>=VT，   VDS  >= VGS-VT。

P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT

可变电阻区与饱和区的界线为  VDS= VGS-VT。

在可变电阻区内：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。

在饱和区内：VGS<=VT， VDS  <= VGS-VT。

一个是P沟道,一个是N沟道.
NMOS要在GS为正向电压是导通..PMOS在GS为负电压时导通.