外观
DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
容量
相较于DDR3,DDR4理论上每根DIMM模块能达到512GiB的容量,而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GiB。
速度
DDR3的最高速率为2133MT/s ,DDR4的数据传输率也从2133MT/s起跳,最高速率在2013年的标准中暂定为4266MT/s。
能耗
DDR3的工作电压是1.5V,而DDR4是1.2V,并且能源节省高达40%。
就像DDR3淘汰DDR2一样,DDR4早晚要取代DDR3
一、DDR4与DDR3内存差异一:处理器
每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
二、DDR4与DDR3内存差异二:外型
大家注意上图,宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
三、DDR4与DDR3内存差异三:参数
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。
ddr3是三代内存、ddr4是四代的,不过目前主流是三代的
DDR3是 三代内存
DDR4是 四代内存
接口不一样,工作电压不一样