目前国际上最新工艺为7nm，我国已普及28nm，正在尝试进军14nm。中国大陆集成电路制程工艺之所以落后于国际先进水平，除了技术基础薄弱的历史原因之外，主要是受到先进光刻机对华禁售禁运的影响。不过，随着大陆光刻技术的进步，国际技术封锁正在逐渐被打破。相信不久的未来，大陆自主集成电路制造水平赶上甚至超越国际水平会成为现实。
