磁阻效应砷化镓霍尔传感器的作用是测量磁场。
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。这个电场的强度和磁场强度直接相关,通过测量电场可以获得磁场强度;
磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
同霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流于在磁场中受到洛伦兹力而产生的。如图1所示,当半导体处于磁场中时,导体或半导体的载流子将受洛仑兹力发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。如果霍尔电场力作用和某一速度的载流子的作用刚好抵消,该载流子将不发生偏转,则小于此速度的电子则沿电场力方向偏转,而大于此速度的电子则沿相反方向(即洛仓兹力)偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少,从而使电阻增加,这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁阻效应;若外加磁场与外加电场平行,称为纵向磁阻效应;
磁阻效应砷化镓霍尔传感器和一般的霍尔传感器相比,灵敏度更高、体积更小(砷化镓霍尔传感器可以做成薄膜形式)。目前,磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。