霍尔元件(由锑化铟制成)的灵敏度比较好测量,相同的电压和磁场条件下,输出电压高的则灵敏度高.
霍尔集成电路(IC)的灵敏度的测量要分两种:
(1) 对于开关型,测量可以使hall IC打开(一般输出由高变低)的磁场强度,使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高。
(2)对于线性hall,则需要给芯片一个磁场变量(比如磁场变化100GS)看输出电压变化值的大小,电压变化的则灵敏度高。
对于怎样提高灵敏度,在hall材料已经确定的情况下只能靠外加放大器等电子电路来变相的实现。
扩展资料:
霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm 级),采用了各种补偿和保护措施,霍尔器件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。
在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH =RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔系数,它表示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。
线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确跟踪磁通密度的变化。在静态(无磁场)时,从理论上讲,输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。
相反,增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。
参考资料来源:百度百科——霍尔元件
霍尔的灵敏度指单位电压或者单位电流在单位磁场下(比如1T或者1mT)产生的霍尔电压,这个霍尔电压一般很小(最多mV级别)。霍尔灵敏度主要与制成霍尔元件(或者芯片)的材料有关,一般来讲,材料的迁移率越高,则灵敏度越高。另外,霍尔灵敏度也与所加的电压或者电流偏置有关。
霍尔元件(一般由锑化铟制成)的灵敏度比较好测量,相同的电压和磁场条件下,输出电压高的则灵敏度高。
霍尔集成电路(IC)的灵敏度的测量要分两种:(1) 对于开关型,测量可以使hall IC打开(一般输出由高变低)的磁场强度,使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高。(2)对于线性hall,则需要给芯片一个磁场变量(比如磁场变化100GS)看输出电压变化值的大小,电压变化的则灵敏度高。
对于怎样提高灵敏度,在hall材料已经确定的情况下只能靠外加放大器等电子电路来变相的实现。