npn三极管工作中饱和区时，发射极正偏，集电极正偏。但是电流仍然是从c流到e，从b流到e。

ube>Uon（开启电压）时，发射区自由电子由扩散运动到达基区 ，此时发射区、基区和集电区都有了自由电子，集电极C和发射极E相当于导通了，这时可以把晶体管等效于一根导线，如上图所示（基本共射放大电路）。当然这个图不是完全正确，但不影响这个问题的分析。

此时无论管压降uce>ube或uce

即使将基极短路，也就是去掉基极，集电极和发射极也有电流，这个电流称为穿透电流。穿透电流越小，晶体管的质量越好。

至于放大区要求uce≥ube的原因：集电区无法从发射区直接搬运自由电子（以下简称电子），得等到Ube把电子从发射区搬运到基区后，集电区再从基区搬运一定比例的电子，至于这个比例的多少由管压降Uce决定。

那么有人要说了，饱和时，uce

从路径上分析，集电区从基区搬运电子，电流ic走的通路是：Vcc正-Rc-集电区-基区-发射区-Vcc负（大地），只是经过了基区，抗衡的只是基区的电位。但基区要想从集电区搬运电子，走的通路就是：Vbb正-Rb-基区-集电区-Rc-Vcc-Vbb负（大地），他要对抗的是Vcc这个强大军团。事实上，Vcc>Vbb，所以图中一个画了四条横线，一个只画了两条横线，以示大小。

概括说，基极-发射极的电压ube影响晶体管的开启和关闭，无法影响到集电极-发射极电流ic。集电极-发射极电压uce大时，ic增大。当uce变小时，也就是ic无法继续增大时，就是大家说的饱和状态。

————参考书籍

《模拟电子技术基础》（第五版）高等教育出版社 童诗白 华成英著

(1)npn三极管基本结构
二个PN结将基片分为三个区：发射区、基区和集电区，每区引出一个电极分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）；
发射区与基区之间的PN结称为发射结，基区与集电区之间的PN结称为集电结
(2) npn三极管工作中截止区时，此时集电极电位比基极高，所以集电结反偏
是发射结电压虽正偏但<0.5V(死区电压)或反偏，集电极电流=0；
(3) npn三极管工作中放大区时，是发射结正偏>0.5V，集电结反偏，此时集电极电位比发射极电位高，所以电流是从C流向E，但C电位比B电位高，所以集电结反偏；
(4) npn三极管工作中饱和区时，发射结正偏>=0.7V，集电结正偏，此时集电极电位仍比发射极电位高，所以电流仍是从C流向E，但C电位比B电位低，所以集电结正偏；V(ce)≈0.1-0.3V
(5) 发射结, 集电结的正偏与反偏不是由电流流向定义的，而是由B,C,E的电位高低来定义的，

我认为应该这么解释，首先克服一个观念就是pn结正偏时电流就一定由p区流向n区，对于二极管是没问题的，但是三极管中存在另一个pn结的影响。就拿npn来说，当发射结正偏时，由于发射区的掺杂浓度更大，多子的扩散作用更强，导致基区中积累了很多电子，如果集电结反偏，其内建电场增强，有助于基区的电子漂移进集电极，这样就形成了Ic，但如果集电结正偏的话，其内建电场被削弱，基区中电子的漂移运动只是被减弱了，但在基区中堆积的电子太多了，仍然存在很强的漂移运动，所以此时Ic仍然存在，且方向不变，只是比放大区时减小了。
那么二极管为何在反偏时为何不会出现反向的电流？因为在p区中没有那么多的电子堆积

BC结正偏时，基极电流ib一部分流过BE结，一部分流过BC结，流过BC结的电流再由C流向E。
正偏和反偏指的是BE结或BC结正偏或反偏，不是C极和E极。

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