内存条2GB 2Rx8 PC2-5300s-555-12与512MB 2Rx16 PC2-4200S-444-11是什么意思?能用在同一台笔记本吗?

2024-10-30 19:17:00
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回答1:

这两条内存用在同一台笔记知本,有可能不兼容。

1、2GB 2Rx8 PC2-5300s-555-12,道意思是容量回2G,双面8颗粒,DDR2 667,内存时序为555-12。

2、512MB 2Rx16 PC2-4200S-意思是容量512M,双面8颗粒,DDR2 533,内存时序为444-11。

3、两条内存,频率不一样,时序不一样,DDR2主板没有自动降频的功能,所以在一起使答用容易不稳定。

DDR:

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400。

DDR2:

DDR2尽管工作频率没有变化,数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit,那么同时间传递数据是DDR的两倍,因此也用等效频率命名,分别为DDR2 400 533 667 800。

DDR3:

DDR3内存也没有增加工作频率,继续提升数据传输位宽变为8bit,为DDR2两倍,因此也在同样工作频率下达到更高带宽,因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。

所以可以看到,如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别,只是由于传输数据位宽倍增,导致带宽的增加。

而内存的真正工作频率决定于延迟,DDR400与DDR2 800真实工作频率相同,后者带宽是前者一倍,延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667,那后者虽然带宽更大,不过其真实频率反而低一些,延迟上略大。


DDR2与DDR的区别: 

1、速率与预取量 

DDR2的实际工作频率是DDR的两倍,DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。 

2、封装与电压 

DDR封装为TSOPII,DDR2封装为FBGA;

DDR的标准电压为2.5V,DDR2的标准电压为1.8V。

3、bit pre-fetch 

DDR为2bit pre-fetch,DDR2为4bit pre-fetch。

4、新技术的引进 

DDR2引入了OCD、ODT和POST

(1)ODT:ODT是内建核心的终结电阻,它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完,防止这些信号在电路上形成反射。

(2)Post CAS:它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。

在没有前置CAS功能时,对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后,并使数据I/O总线出现空闲,当使用前置CAS后,消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。

(3)OCD(Off-Chip Driver):离线驱动调整,DDR2通过OCD可以提高信号的完整性 OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步,以确保信号的完整与可靠性,OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压,来补偿上拉与下拉电阻值,目的是让DQS与DQ数据信号间的差降低到最小。

调校期间,分别测试DQS高电平和DQ高电平,与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况,如果不满足要求,则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级,直到测试合格才退出OCD操作。

DDR3与DDR2的区别:

1、DDR2为1.8V,DDR3为1.5V。 

2、DDR3采用CSP和FBGA封装,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。

3、逻辑Bank数量,DDR2有4Bank和8Bank,而DDR3的起始Bank8个。

4、突发长度,由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定位8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的;

DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式。 

5、寻址时序(Timing),DDR2的AL为0~4,DDR3为0、CL-1和CL-2,另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)。

6、bit pre-fetch:DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch。

7、新增功能,ZQ是一个新增的引脚,在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻,新增裸露SRT(Self-Reflash Temperature)可编程化温度控制存储器时钟频率功能。

新增PASR(PartialArray Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效。

8、DDR3的参考电压分成两个,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。 

9、点对点连接(point-to-point,p2p),这是为了提高系统性能而进行的重要改动。

回答2:

2GB 2Rx8 PC2-5300s-555-12 ,是通常说的DDR2 667 2G

512MB 2Rx16 PC2-4200S-444-11 是通常说的DDR2 533 512M
从规格上讲,是同一代内存,是可以通用的,但是这样搭配的话,速度快的内存就会自动降频,来适应速度慢的内存
建议单独使用2G的那条,不要混搭。

回答3:

内存能否使用,要看内存的频率是否和主板兼容,上面信息看不到内存的工作频率,也没有主板型号。