CL=5-5-5-15是指内存时序，依次按分别为：CAS#延迟(CL) - RAS#至CAS#延时(tRCD) - RAS#预充电(tRP) - 周期(tRAS) - 存储周期(tRC)
内存时序一定程度上代表了内存条的性能，各项参数越低越好。但是一般的内存，运行在特定频率下的时候，其时序是固定一致的。有部分高端超频内存条，时序往往比普通的内存条较低，这是由于内存时序的确定取决于内存颗粒本身的品质，厂家往往挑选品质较高的颗粒制作超频用内存条。
提高内存的运行频率，同时降低内存时序，可以实现对计算机内存的超频，获得一定的性能提升。
这是内存延迟参数
分别是是CAS 延迟,（内存存取数据所需的延迟时）。RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。
这是内存的参数，数值越低性能就越高，不过要看内存的体质
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