ddr3和ddr4内存条有什么区别？

ddr是双倍数据速率(double
data
rate)。ddr与普通同步动态随机存储器（dram）非常相象。普通同步dram（现在被称为sdr）与标准dram有所不同。
标准的dram接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（ras）锁存在dram芯片。紧随ras命令之后，列地址选通（cas）锁存第二地址字。经过ras和cas，存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器（sdr
dram)由一个标准dram和时钟组成，ras、cas、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复ras选通。连续cas选通可对来自相同源的数据进行再现。
ddrⅱ内存中，依然是在时钟上沿和下沿触发传输的。而非一些媒体所说的上下沿各两次传输数据。而ddrⅱ内存和ddr内存的最大差异之处在于ddrⅱ内存内部为4bit预取。所谓的4bit预取事实上是指内存芯片能够在1个周期内提供4倍的传输速度。而之前的ddr内存采用的则是2bit预取。
因为4bit预取的应用，使得ddrⅱ内存的内部工作频率只有i/o触发频率的一半，这样一来ddrⅱ533mhz的内部工作频率变成了266mhz，所以ddrⅱ内存能够轻易地实现等效于667mhz甚至800mhz的传输率。
ddr3内存已经有了，速度两倍于ddrⅱ，目前主要用于对速度要求较高的显卡上，用来作显存。

【概括而言，区别如下】：

1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB

4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低

【详细区别包括以下5方面】：

一、频率和电压

在频率方面，DDR4内存的工作频率将从2133MHz 起跳，最高甚至可以达到4266MHz。这个频率相比DDR3 内存有相当大的提升。在电压方面，DDR3 内存的工作电压为1.5V，而DDR4内存的工作电压将近一步的降低，预计最低可以做到1.2V。

二、传输机制

相对于DDR3，DDR4的一大改进就体现在信号传输机制上。它拥有两种规格:除了可支持Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)外，还引入了DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术。

三、访问机制

对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。点对点相当于一条主管道只对应一个水箱（这种机制的改变其实并不会对传输速度产生太大的影响，因为主管道的大小并没有改变），这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。

四、封装技术

DDR4内存采用3DS封装技术，3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。

五、外观

DDR3内存金手指是240个，内存金手指是平直的；而DDR4内存金手指是284个，内存金手指呈弯曲状。

ddr4内存是新一代的内存规格，和ddr3相比最大区别有三点：
1、16bit预取机制（ddr3为8bit），也就说同样工作频率下理论速度是ddr3的两倍；
2、更加可靠的传输规范，也就是数据可靠性提高；
3、工作电压降为1.2v，更节能，发热量降低。

DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。

DDR3的工作电压是1.5V，而DDR4是1.2V，并且能源节省高达40%。

DDR3的最高速率为2133MT/s ，DDR4的数据传输率也从2133MT/s起跳，最高速率在2013年的标准中暂定为4266MT/s。

相较于DDR3，DDR4理论上每根DIMM模块能达到512GiB的容量，而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GiB。

在Anandtech的独立测试中， DDR4的性能比DDR3略好，但差距很小。

1.
ddr4的频率高，运行速度快
2.
ddr4内存的每个针脚都可以提供2gbps(256mb/s)的带宽，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超过70％
现在的主流是ddr3，ddr4的内存现在还是太新，很多主板不支持，不过ddr4的运行速度很快，价格也高。
望采纳！！！